Numărul de produs al producătorului:
TSM170N06PQ56 RLG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM170N06PQ56 RLG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 44A (Tc) 73.5W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventar:
13281 Piese Noi Originale În Stoc
12897537
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM170N06PQ56 RLG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1556 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
73.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PDFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
TSM170
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM170N06PQ56 RLGTR
TSM170N06PQ56RLGTR
TSM170N06PQ56 RLGDKR-DG
TSM170N06PQ56RLGCT
TSM170N06PQ56 RLGTR-DG
TSM170N06PQ56RLGDKR
TSM170N06PQ56 RLGCT-DG
TSM170N06PQ56 RLGDKR
TSM170N06PQ56 RLGCT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM80N950CI C0G
MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB
TSM8N70CI C0G
MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
TSM4NB60CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
